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              介電常數(shù)測(cè)試儀的定義

              點(diǎn)擊次數(shù):2130  更新時(shí)間:2018-12-07

              介電常數(shù)測(cè)試儀的定義
              介電常數(shù)描述的是材料與電場(chǎng)之間的相互作用。介電常數(shù) (K*)等于復(fù)數(shù)相對(duì)介電常數(shù)(ε*r),或復(fù)數(shù)介電常數(shù)(ε*)與真空介電常數(shù)(ε0)的比值。復(fù)數(shù)相對(duì)介電常數(shù)的實(shí)部(ε'r) 表示外部電場(chǎng)有多少電能儲(chǔ)存到材料中;對(duì)于絕大多數(shù)固體和液體來說,ε'r>1。復(fù)數(shù)相對(duì)介電常數(shù)的虛部(ε"r) 稱為損耗系數(shù),表示材料中儲(chǔ)存的電能有多少消耗或損失到外電場(chǎng)中。ε"r始終>0,且通常遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于ε'r。損耗系數(shù)同時(shí)包括介電材料損耗和電導(dǎo)率的效應(yīng)。
              如果用簡單的矢量圖表示復(fù)數(shù)介電常數(shù),那么實(shí)部和虛部的相位將會(huì)相差90°。其矢量和與實(shí)軸(ε'r)形成夾角δ。通常使用這個(gè)角度的正切值tanδ或損耗角正切來表示材料的相對(duì)“損耗”。

              使用平行板法測(cè)量介電常數(shù)
              當(dāng)使用阻抗測(cè)量儀器測(cè)量介電常數(shù)時(shí),通常采用平行板法

               

              平行板法在ASTM D150標(biāo)準(zhǔn)中又稱為三端子法,其原理是通過在兩個(gè)電極之間插入一個(gè)材料或液體薄片組成一個(gè)電容器,然后測(cè)量其電容,根據(jù)測(cè)量結(jié)果計(jì)算介電常數(shù)。在實(shí)際測(cè)試裝置中,兩個(gè)電極配備在夾持介電材料的測(cè)試夾具上。阻抗測(cè)量儀器將測(cè)量電容(C)和耗散(D)的矢量分量,然后由軟件程序計(jì)算出介電常數(shù)和損耗角正切。
              當(dāng)簡單地測(cè)量兩個(gè)電極之間的介電材料時(shí),在電極邊緣會(huì)產(chǎn)生雜散電容或邊緣電容,從而使得測(cè)得的介電材料電容值比實(shí)際值大。邊緣電容會(huì)導(dǎo)致電流流經(jīng)介電材料和邊緣電容器,從而產(chǎn)生測(cè)量誤差。
              使用保護(hù)電極,可以消除邊緣電容所導(dǎo)致的測(cè)量誤差。保護(hù)電極會(huì)吸收邊緣的電場(chǎng),所以在電極之間測(cè)得的電容只是由流經(jīng)介電材料的電流形成,這樣便可以獲得準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果。當(dāng)結(jié)合使用主電極和保護(hù)電極時(shí),主電極稱為被保護(hù)電極。

               

               

               

              接觸電極法
              這種方法通過測(cè)量與被測(cè)材料(MUT)直接接觸的電極的電容來推導(dǎo)出介電常數(shù)。

               

               

              介電常數(shù)和損耗角正切通過以下公式 計(jì)算

               

               

               

              其中Cp: MUT的等效平行電容 [F]
              D: 耗散系數(shù) (測(cè)量值)
              tm: MUT 的平均厚度 [m]
              A: 被保護(hù)電極的表面積 [m2]
              d: 被保護(hù)電極的直徑 [m]
              ε0: 自由空間的介電常數(shù) =8.854 x 10-12 [F/m]
              接觸電極法不需要制備任何材料,而且測(cè)量操作非常簡單,因此得到zui廣泛的使用。不過在用這種方法進(jìn)行測(cè)量時(shí),如果沒有考慮到空氣間隙及其影響,那么可能會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的測(cè)量誤差。
              當(dāng)電極直接接觸 MUT 時(shí),MUT 與電極之間會(huì)形成一個(gè)空氣間隙。無論 MUT 兩面組成得多么平坦和平行,都不可避免會(huì)產(chǎn)生空氣間隙。這個(gè)空氣間隙會(huì)導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果出現(xiàn)誤差,因?yàn)闇y(cè)量的電容實(shí)際上是介電材料與空氣間隙串聯(lián)結(jié)構(gòu)的電容。

               

               

              通過用薄膜電極接觸介電材料的表面,可以減小空氣間隙的影響。雖然需要進(jìn)行額外的材料制備 (制作薄膜電極),但可以實(shí)現(xiàn)zui準(zhǔn)確的測(cè)量。
              ※非接觸電極法
              非接觸電極法從概念上來說融合了接觸電極法的優(yōu)勢(shì),并避免了其缺點(diǎn)。它不需要薄膜電極,但仍可解決空氣間隙效應(yīng)。根據(jù)在有 MUT 和沒有 MUT 時(shí)獲得的兩

              理論上,電極間隙 (tg)應(yīng)比 MUT的厚度 (tm) 略微小一點(diǎn)。換句話說,空氣間隙(tg-tm) 應(yīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于 MUT 的厚度(tm)。要想正確執(zhí)行測(cè)量,必須滿足這些要求。zui少要進(jìn)行兩次電容測(cè)量,以便使用測(cè)量結(jié)果計(jì)算介電常數(shù)。

               

              平行板測(cè)量法的比較
              方法:     接觸電極    (不使用薄膜電極)             非接觸電極              接觸電極  (使用薄膜電極)
              精度                                                                         
              適用的MUT    具有平滑表面的固體材料      具有平滑表面的固體材料        薄膜電極必須應(yīng)用到表面
              操作           1次測(cè)量                            2次測(cè)量                     1次測(cè)量
               

               

               

               

               

              附表一,介質(zhì)損耗測(cè)試系統(tǒng)主要性能參數(shù)一覽表

              BH916測(cè)試裝置

              GDAT高頻Q

              平板電容極片

              Φ50mm/Φ38mm可選

              頻率范圍

              20KHz-60MHz/200KHz-160MHz

              間距可調(diào)范圍

              ≥15mm

              頻率指示誤差

              3×10-5±1個(gè)字

              夾具插頭間距

              25mm±0.01mm

              主電容調(diào)節(jié)范圍

              30-500/18-220pF

              測(cè)微桿分辨率

              0.001mm

              主調(diào)電容誤差

              <1%1pF

              夾具損耗角正切值

              4×10-4 1MHz)

              Q測(cè)試范圍

              21023

               

              附表二,LKI-1電感組典型測(cè)試數(shù)據(jù)

              線圈號(hào)

              測(cè)試頻率

              Q

              分布電容p

              電感值

              9

              100KHz

              98

              9.4

              25mH

              8

              400KHz

              138

              11.4

              4.87mH

              7

              400KHz

              202

              16

              0.99mH

              6

              1MHz

              196

              13

              252μH

              5

              2MHz

              198

              8.7

              49.8μH

              4

              4.5MHz

              231

              7

              10μH

              3

              12MHz

              193

              6.9

              2.49μH

              2

              12MHz

              229

              6.4

              0.508μH

              1

              25MHz
              50MHz

              233
              211

              0.9

              0.125μH

               

               

              聯(lián)系人:陳丹
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